2的雙向自限流憶阻器及其制備方法,復(fù)合材料"> 2的雙向自限流憶阻器及其制備方法,本發(fā)明公開了一種基于ZnS·SiO2的雙向自限流憶阻器件及其制備方法,屬于集成微電子技術(shù)領(lǐng)域;雙向自限流憶阻器件包括:上電極、功能層和下電極,功能層由ZnS和SiO2復(fù)合形成單層復(fù)合結(jié)構(gòu)ZnS·SiO2;單層復(fù)合結(jié)構(gòu)ZnS·SiO2中ZnS和SiO2的復(fù)合比例滿足以下要求:ZnS的成分大于或等于SiO2。本發(fā)明通過對該憶阻器中功能層進(jìn)行改進(jìn),利用ZnS和SiO2的復(fù)合材料作為憶阻器單元的阻變功能層,導(dǎo)電絲會沿著ZnS的晶界生長,從而降低導(dǎo)電絲生長的隨機(jī)性,">

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基于ZnS·SiO2的雙向自限流憶阻器及其制備方法

892   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:45:52
本發(fā)明公開了一種基于ZnS·SiO2的雙向自限流憶阻器件及其制備方法,屬于集成微電子技術(shù)領(lǐng)域;雙向自限流憶阻器件包括:上電極、功能層和下電極,功能層由ZnS和SiO2復(fù)合形成單層復(fù)合結(jié)構(gòu)ZnS·SiO2;單層復(fù)合結(jié)構(gòu)ZnS·SiO2中ZnS和SiO2的復(fù)合比例滿足以下要求:ZnS的成分大于或等于SiO2。本發(fā)明通過對該憶阻器中功能層進(jìn)行改進(jìn),利用ZnS和SiO2復(fù)合材料作為憶阻器單元的阻變功能層,導(dǎo)電絲會沿著ZnS的晶界生長,從而降低導(dǎo)電絲生長的隨機(jī)性,起到定向誘導(dǎo)導(dǎo)電絲生長的作用,提高器件的高低阻態(tài)穩(wěn)定性和操作電壓的一致性。同時,ZnS和SiO2的復(fù)合會產(chǎn)生一個額外的接觸電阻,起到外接串聯(lián)電阻的作用,實(shí)現(xiàn)雙向自限流。
聲明:
“基于ZnS·SiO2的雙向自限流憶阻器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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