2的雙向自限流憶阻器及其制備方法,復(fù)合材料"> 2的雙向自限流憶阻器及其制備方法,本發(fā)明公開了一種基于ZnS·SiO2的雙向自限流憶阻器件及其制備方法,屬于集成微電子技術(shù)領(lǐng)域;雙向自限流憶阻器件包括:上電極、功能層和下電極,功能層由ZnS和SiO2復(fù)合形成單層復(fù)合結(jié)構(gòu)ZnS·SiO2;單層復(fù)合結(jié)構(gòu)ZnS·SiO2中ZnS和SiO2的復(fù)合比例滿足以下要求:ZnS的成分大于或等于SiO2。本發(fā)明通過對該憶阻器中功能層進(jìn)行改進(jìn),利用ZnS和SiO2的復(fù)合材料作為憶阻器單元的阻變功能層,導(dǎo)電絲會沿著ZnS的晶界生長,從而降低導(dǎo)電絲生長的隨機(jī)性,">
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> 基于ZnS·SiO2的雙向自限流憶阻器及其制備方法