本發(fā)明公開了一種自適應(yīng)電磁脈沖屏蔽薄膜制備方法、所制得的薄膜及應(yīng)用，涉及電磁屏蔽材料領(lǐng)域。步驟如下：取AgNWs加入乙醇、水和氨水得溶液E；將TEOS加入乙醇中并滴加入溶液E中，室溫反應(yīng)20?30h得溶液F；將溶液F超聲離心，取沉淀，洗滌得AgNWs@SiO₂；取PVA和水，攪拌，加熱至85?95℃，攪拌至PVA完全溶解得到溶液G；取AgNWs@SiO₂加入到溶液G，溫度60?70℃，攪拌10?15h得到復(fù)合材料流體，進(jìn)行流延成膜，待溶劑揮發(fā)后得到自適應(yīng)電磁脈沖屏蔽薄膜；其中，AgNWs和TEOS的質(zhì)量比為15?25:1；PVA聚合度為1700，醇解度為99%；PVA和AgNWs@SiO₂的質(zhì)量比為100:40?120。本方法工藝簡單，成本低，反應(yīng)時間短，易于大量制備；制得的薄膜分布均勻，分散性較好，無團(tuán)聚，可應(yīng)用于自適應(yīng)電磁脈沖防護(hù)領(lǐng)域。