本發(fā)明提供了一種多孔硅復(fù)合
負(fù)極材料,包括多孔硅基體、復(fù)合在所述多孔硅基體表面的第一導(dǎo)電材料層,以及復(fù)合在所述第一導(dǎo)電材料層表面的納米硅基材料。本發(fā)明首先采用導(dǎo)電材料進(jìn)行第一次包覆,然后再在導(dǎo)電材料層表面繼續(xù)復(fù)合納米硅基材料,得到多孔硅復(fù)合負(fù)極材料,不僅利用了多孔硅材料本身具有的較高首次充放電效率,而且包覆于多孔硅材料表面的導(dǎo)電材料不僅能夠增加
復(fù)合材料的導(dǎo)電性,還可以抑制多孔硅材料向外膨脹導(dǎo)致破裂,提高了循環(huán)穩(wěn)定性;表面再復(fù)合納米硅基材料后,具有更好的循環(huán)性能,可以提高多孔硅材料復(fù)合材料的循環(huán)性能;此外,本發(fā)明的制備方法操作簡單、安全、通用性強(qiáng)、生產(chǎn)成本低、適合工業(yè)化生產(chǎn)。
聲明:
“多孔硅復(fù)合負(fù)極材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)