本發(fā)明公開了一種熒光量子點(diǎn)的優(yōu)化處理方法,包括以下步驟:(1)制備熒光量子點(diǎn)包覆
復(fù)合材料,所述熒光量子點(diǎn)包覆復(fù)合材料包括熒光量子點(diǎn)和包覆在所述熒光量子點(diǎn)上的阻擋層;(2)取熒光量子點(diǎn)包覆材料,加入
硅烷偶聯(lián)劑二,加熱攪拌,所述硅烷偶聯(lián)劑二含有官能團(tuán)碳碳雙鍵、環(huán)氧基、丙烯酸基、氨基甲酸酯基中的任一種;(3)在步驟(2)的產(chǎn)物表面制備聚合物層;(4)對步驟(3)的產(chǎn)物進(jìn)行輻照處理。利用本發(fā)明的方法優(yōu)化處理后的熒光量子點(diǎn)能夠保持較好的量子產(chǎn)率,提高了材料的化學(xué)穩(wěn)定性和使用壽命。
聲明:
“熒光量子點(diǎn)的優(yōu)化處理方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)