本發(fā)明提供一種具有均勻孔洞的
石墨烯膜及其制備方法,本發(fā)明所涉及的制備方法,包括:步驟1.將較高熔點金屬作為支撐基底;步驟2.將較低熔點金屬或合金放置在支撐基底上作為反應基底,在CVD反應爐中,以高于反應基底熔點且低于支撐基底熔點的溫度加熱,獲得粘附有二氧化硅的反應基底作為生長基底;步驟3.采用CVD的方法生長超有序的二氧化硅石墨烯
復合材料;步驟4.對超有序的二氧化硅石墨烯復合材料進行轉移,僅將石墨烯材料轉移下來,得到具有均勻孔洞的孔洞的石墨烯膜。本發(fā)明制備的石墨烯膜上具有大小均一、且分散高度均勻的孔洞,這種石墨烯膜在對孔洞大小及分布有嚴格要求的膜分離技術等領域中有巨大的應用潛力。
聲明:
“具有均勻孔洞的石墨烯膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)