本發(fā)明公開了一種
儲能電容器用超低填料兼具高儲能密度的電介質(zhì)材料及其制備方法,屬于儲能電容器電介質(zhì)材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明解決了現(xiàn)有儲能介質(zhì)材料的儲能密度較低的技術(shù)問題。本發(fā)明采用二氧化硅包覆的二氧化鈦納米帶作為復合填料改性PVDF,在超低填料含量下,二氧化鈦納米帶的大比表面積和高介電常數(shù)屬性增強PVDF基
復合材料的界面極化的同時,二氧化鈦納米帶外表面包覆寬禁帶的二氧化硅層起到電子限域作用,顯著改善了PVDF基復合材料的絕緣特性,在二氧化鈦納米帶復合陶瓷的內(nèi)外層協(xié)同作用下,綜合提高了儲能特性,使復合材料的擊穿場強達到390kV/mm,儲能密度達到8.86J/cm3,儲能效率高達66.28%。
聲明:
“儲能電容器用超低填料兼具高儲能密度的電介質(zhì)材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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