本發(fā)明公開了一種多孔碳負(fù)載介孔SiOx/C復(fù)合
負(fù)極材料及其制備方法,包括如下步驟:S1、將模板表面活性劑溶解在氨水溶液中,攪拌至溶解得到溶致液晶溶劑;S2、將有機(jī)硅源加入溶致液晶溶劑中,加入碳源繼續(xù)攪拌形成溶膠,得到液晶?硅溶膠的前驅(qū)體;S3、以液晶?硅溶膠前驅(qū)體為沉淀劑,采用超臨界流體沉淀法將沉淀劑滲透到多孔碳材料的孔隙中,液晶?硅溶膠前驅(qū)體/多孔碳
復(fù)合材料;S4、將液晶?硅溶膠前驅(qū)體/多孔碳復(fù)合材料經(jīng)預(yù)熱處理后高溫焙燒即可。本發(fā)明以溶致液晶法制得沉淀劑,利用超臨界流體使沉淀劑滲透到多孔碳的空隙,經(jīng)熱處理得到多孔碳負(fù)載介孔SiOx/C復(fù)合負(fù)極材料,本發(fā)明有效改善了SiOx/C復(fù)合負(fù)極材料的循環(huán)穩(wěn)定性,提高了材料的放電比容量。
聲明:
“多孔碳負(fù)載介孔SiOx/C復(fù)合負(fù)極材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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