本實用新型涉及一種
芯片背面
復合材料多層金屬化結構,屬集成電路或分立器件制造技術領域。所述結構自上至下依次由硅襯底層(1)、金-硅共溶層(2)、金接觸層(3)、阻擋層(4)和金屬保護層(5)共五層復合而成,所述阻擋層(4)材料為錫銅合金,金屬保護層(5)材料為錫或銅或銀或金。本實用新型的有益效果是:本實用新型利用金-硅共溶層合金效果降低芯片內部殘余應力,整體金屬化結構采用多層金屬分布減少貴重材料消耗,利于大規(guī)模生產制造。
聲明:
“芯片背面復合材料多層金屬化結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)