ZnxCd1-xS納米
復(fù)合材料的制備方法,在具有溫度梯度的管式爐中,以配備有抽真空裝置的石英管為反應(yīng)器,將CdS或ZnS放置于反應(yīng)器中部,反應(yīng)溫度800-900℃,升溫速率400-600℃/小時(shí);相應(yīng)的將ZnCl2或CdCl2放置于反應(yīng)器氬氣流進(jìn)氣口一端,反應(yīng)溫度300-700℃;表面鍍金的Si100片放置于氬氣流出氣口一側(cè)作為樣品生長(zhǎng)的襯底,反應(yīng)溫度400-650℃;硫化物和氯化物原料的摩爾比為1∶2-2∶1,氬氣吹掃時(shí)間0.5-3小時(shí),氬氣流速15-60毫升/分鐘,x為0.2至0.95。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、成本低、過程容易控制,無污染,樣品形貌豐富、選擇性高、重復(fù)性好。
聲明:
“一步可控合成多種形貌Zn-Cd-S半導(dǎo)體納米復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)