本發(fā)明公開了一種銫錫溴?二硫化鉬
復(fù)合材料光學(xué)特性的仿真方法,使用Materials Studio的Project模塊,分別建立7層銫錫溴表面模型和單層二硫化鉬模型;對7層銫錫溴表面模型和單層二硫化鉬模型進(jìn)行優(yōu)化;將優(yōu)化好的7層銫錫溴表面和單層二硫化鉬模型構(gòu)建CsBr/MoS
2范德華結(jié)合的復(fù)合模型,計(jì)算復(fù)合模型的能帶結(jié)構(gòu),差分電荷密度,分析密立根電荷布局、光吸收和光電導(dǎo)性質(zhì),獲得異質(zhì)結(jié)構(gòu)相對于非異質(zhì)結(jié)構(gòu)光學(xué)特性提升結(jié)果,完成仿真。通過仿真將
鈣鈦礦CsSnBr
3與MoS
2復(fù)合;改善了CsSnBr
3的電子傳輸特性以及光生載流子的分離效率;搭建的CsSnBr
3/MoS
2范德華異質(zhì)結(jié)復(fù)合模型,改善了CsSnBr
3的光學(xué)特性,為實(shí)驗(yàn)上制備相關(guān)器件提供了機(jī)理上的解釋。
聲明:
“銫錫溴-二硫化鉬復(fù)合材料光學(xué)特性的仿真方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)