本發(fā)明涉及一種陶瓷基
復(fù)合材料熱損傷裂紋的修復(fù)方法,直接將帶有熱損傷裂紋的試樣表面整個(gè)SiC涂層徹底磨削掉,再重新沉積SiC涂層。不僅可以使沉積表面平整還能使磨掉整個(gè)SiC涂層的C/SiC復(fù)合材料打開(kāi)閉氣孔,有利于后續(xù)基體與涂層沉積變得更為致密,減小密度梯度;還可以有效地修復(fù)SiC基體內(nèi)部形成的裂紋。從而更加有效的提高試樣在高溫環(huán)境下的抗氧化能力。本方法的有效地修復(fù)C/SiC的密度缺陷及熱損傷??梢詼p少C/SiC在制備過(guò)程中產(chǎn)生的微裂紋,減小C/SiC從表面到內(nèi)部的密度梯度和孔隙率,使熱損傷產(chǎn)生的裂紋逐漸愈合,抗氧化性能恢復(fù)且有所提高,使抗彎強(qiáng)度大幅度得到增加。
聲明:
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