本發(fā)明涉及一種限制
復合材料基體內(nèi)部裂紋擴展的方法,包括:(1)采用化學氣相沉積方法在表面原位生長SiC納米線的纖維預制體的表面制備層狀PyC界面,得到SiCNWs/PyC纖維預制體;(2)采用化學氣相滲透法CVI、先驅(qū)體浸漬裂解法PIP、反應溶體滲透法RMI中的至少一種,在SiCNWs/PyC纖維預制體中填充陶瓷基體,得到所述SiCNWs/PyC協(xié)同增強的陶瓷基復合材料;所述陶瓷基體為SiC、Si?C?N、Si?B?C?N中的至少一種。
聲明:
“限制復合材料基體內(nèi)部裂紋擴展的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)