本發(fā)明涉及一種在Si/C
復(fù)合材料上生長(zhǎng)
石墨烯的方法、利用該方法制得的材料以及其應(yīng)用。該方法包括:(1)利用化學(xué)氣相沉積法在Si/C復(fù)合物上依次沉積鎳膜和銅膜,得到Cu/Ni/Si/C復(fù)合物;(2)將Cu/Ni/Si/C復(fù)合物置于氬氣和氫氣的環(huán)境下進(jìn)行退火處理;(3)再利用化學(xué)氣相沉積法將經(jīng)步驟(2)處理后的Cu/Ni/Si/C復(fù)合物置于甲烷和氫氣的氣氛下反應(yīng),再在氬氣的保護(hù)下冷卻至室溫,從而在Si/C復(fù)合材料上生長(zhǎng)出石墨烯。該方法減少了石墨烯在電芯材料中的添加或?qū)κ┍∧さ霓D(zhuǎn)移、涂敷工藝,能夠避免破壞已有石墨烯的化學(xué)性質(zhì)。
聲明:
“在Si/C復(fù)合材料上生長(zhǎng)石墨烯的方法、利用該方法制得的材料以及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)