本發(fā)明涉及一種原位生長SiC納米線增強(qiáng)SiC陶瓷基
復(fù)合材料,由增強(qiáng)纖維,SiC納米線,界面層和SiC基體組成;其特征在于SiC納米線原位生長在增強(qiáng)纖維上,界面層包覆在增強(qiáng)纖維和SiC納米線表面,SiC基體填充在增強(qiáng)纖維和SiC納米線圍成的間隙中;所述的增強(qiáng)纖維為C纖維或SiC纖維;所述的SiC納米線直徑為50~200nm,長度為0.5~3mm;所述的界面層為PyC或BN,厚度為0.02~0.1μm。本發(fā)明有效地解決了SiC納米線在纖維預(yù)制體內(nèi)較難均勻分布的問題,同時(shí)通過原位生長SiC納米線充分發(fā)揮了SiC納米線對(duì)SiC陶瓷基復(fù)合材料的優(yōu)勢(shì)等。
聲明:
“原位生長SiC納米線增強(qiáng)SiC陶瓷基復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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