本發(fā)明掩模板技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種使用
復(fù)合材料制作的精細掩模版,包括以下步驟:S1:制備CMM掩模版基材與高分子結(jié)合的復(fù)合材料,在CMM掩模版基材的一面涂覆高分子材料,經(jīng)高溫環(huán)境固話后,冷卻至室溫;S2利用激光刻蝕的工藝在上述的CMM掩模版基材與高分子掩模版復(fù)合材料的高分子材料面上制備開口;S3:對CMM掩模版基材未涂高分子材料的Invar面,進行多次刻蝕,直到掩模版出現(xiàn)所需開口,過濕法刻蝕與激光刻蝕工藝在高分子材料上開口,解決了復(fù)合金屬掩模版需要使用FMM掩模版材料短缺,同時提供了一種大尺寸OLED生產(chǎn)過程中,一種CMM掩模版與高分子材料復(fù)合而成的FMM。
聲明:
“使用復(fù)合材料制作的精細掩模版” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)