本發(fā)明涉及一種噴霧造粒結(jié)合3DP和CVI制備碳化硅陶瓷基
復合材料的方法,首先將SiC晶須與PVA等添加劑混合后用噴霧干燥制備SiC晶須球形顆粒;再與糊精混合后利用3DP法打印得到SiC晶須素坯,低溫氧化脫脂得到SiC晶須預制體;利用CVI工藝在預制體內(nèi)引入SiC基體,獲得各向同性的SiC
W/SiC復合材料。本發(fā)明利用當前流行的3DP技術(shù)制備預制體,3DP技術(shù)適合制備復雜形狀零件,方便快捷,擺脫模具,可節(jié)約預制體的研發(fā)成本,縮短預制體的研發(fā)周期;結(jié)合噴霧造粒法制備3DP技術(shù)的粉體,并利用CVI工藝將預制體致密化,便可獲得新型多尺度結(jié)構(gòu)、各向同性、高強韌化的復合材料。
聲明:
“噴霧造粒結(jié)合3DP和CVI制備碳化硅陶瓷基復合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)