本發(fā)明屬于增材制造技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種SiC誘導(dǎo)多相增強(qiáng)鋁基
復(fù)合材料及其制備方法。該制備方法,通過(guò)對(duì)SiC顆粒表面進(jìn)行預(yù)氧化處理后形成SiO2氧化層,改善了SiC與Al基體之間的界面潤(rùn)濕性,同時(shí)延緩了SiC顆粒與Al基體之間的反應(yīng),在高溫下SiO2會(huì)與基體優(yōu)先發(fā)生反應(yīng),僅生成少量的Al2O3顆粒,SiC顆?;颈槐A粝聛?lái)。在局部溫度過(guò)高區(qū)域則會(huì)發(fā)生反應(yīng),可完全消耗該處的SiC顆粒,生成Al4SiC4硬質(zhì)陶瓷相。通過(guò)預(yù)氧化?預(yù)分散?選區(qū)激光熔化相結(jié)合的方法成功制備了納米顆粒分散均勻、致密度高、晶粒細(xì)小、力學(xué)性能優(yōu)異的多相增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料,有效解決了打印態(tài)SiC增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料塑韌性不佳的問(wèn)題。
聲明:
“SiC誘導(dǎo)多相增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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