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C/SiC陶瓷基復合材料及其制備方法

968 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 15:46:03

本發(fā)明公開了一種C/SiC復合材料及其制備方法。本發(fā)明所提供的C/SiC復合材料是按照包括下述步驟的方法制備得到的：采用化學氣相滲透法依次在碳纖維預制體表面沉積熱解碳界面層和碳化硅基體得到C/SiC復合材料；其中，所述碳化硅基體的沉積條件如下：以CH3SiCl3(MTS)為氣源，H2為載氣、Ar為稀釋氣體，在1100℃，50kPa的條件下沉積SiC？40小時；所述碳纖維預制體為2.5維(2.5D)碳纖維編織體。該材料的彎曲強度達到了213.8MPa，已滿足結構材料對彎曲強度的基本要求；在室溫到1200℃的溫度區(qū)間內保持了較低的線熱膨脹系數(shù)。

聲明：

“C/SiC陶瓷基復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)