2納米管-CdS量子點復(fù)合材料、光電化學(xué)傳感器及制備方法及應(yīng)用,復(fù)合材料"> 2納米管-CdS量子點復(fù)合材料、光電化學(xué)傳感器及制備方法及應(yīng)用,本發(fā)明涉及光電化學(xué)分析與環(huán)境監(jiān)測領(lǐng)域,具體來說是分子印跡修飾TiO2納米管?CdS量子點復(fù)合材料、光電化學(xué)傳感器及制備方法及應(yīng)用,TiO2納米管?CdS量子點復(fù)合材料以陽極氧化法制備得到TiO2納米管薄膜,并以TiO2納米管薄膜為基體,通過水浴法沉積上CdS量子點并吸附上持久性有機污染物,再通過高溫煅燒技術(shù)制備得到了分子印跡修飾TiO2納米管?CdS量子點復(fù)合材料,本發(fā)明制備的傳感器以TiO2納米管?CdS量子點復(fù)合材料作為光電轉(zhuǎn)換層,表面修飾含有持久性有">

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分子印跡修飾TiO2納米管-CdS量子點復(fù)合材料、光電化學(xué)傳感器及制備方法及應(yīng)用

1034   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:44:02
本發(fā)明涉及光電化學(xué)分析與環(huán)境監(jiān)測領(lǐng)域,具體來說是分子印跡修飾TiO2納米管?CdS量子點復(fù)合材料、光電化學(xué)傳感器及制備方法及應(yīng)用,TiO2納米管?CdS量子點復(fù)合材料以陽極氧化法制備得到TiO2納米管薄膜,并以TiO2納米管薄膜為基體,通過水浴法沉積上CdS量子點并吸附上持久性有機污染物,再通過高溫煅燒技術(shù)制備得到了分子印跡修飾TiO2納米管?CdS量子點復(fù)合材料,本發(fā)明制備的傳感器以TiO2納米管?CdS量子點復(fù)合材料作為光電轉(zhuǎn)換層,表面修飾含有持久性有機污染物識別位點的無機骨架分子印跡,進(jìn)而實現(xiàn)對持久性有機污染物的檢測,其具有靈敏度高,響應(yīng)穩(wěn)定,選擇性好等優(yōu)點。
聲明:
“分子印跡修飾TiO2納米管-CdS量子點復(fù)合材料、光電化學(xué)傳感器及制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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