本發(fā)明揭示了一種低介電常數(shù)高分子基
復(fù)合材料的制備工藝,對(duì)高分子材料進(jìn)行發(fā)泡處理,再進(jìn)行熱處理,使高分子材料中的閉孔打開、極性的含氧官能團(tuán)還原為非極性官能團(tuán),得到多孔填料;對(duì)多孔填料進(jìn)行表面處理,并在表面覆蓋過渡薄膜,得到填料體;通過填料體與高分子基體復(fù)合成型。本發(fā)明通過在復(fù)合材料中引入了具有很大比表面積的填料體,很大程度地增加了復(fù)合材料的自由體積。通過熱處理的方法除去多孔填料中的極性官能團(tuán),降低填料本身的極化程度。在多孔填料的表面引入了含氟或者含硅的結(jié)構(gòu)分子,在增強(qiáng)填料的力學(xué)性能的同時(shí)進(jìn)一步降低填充物的介電常數(shù),同時(shí)為填料體和高分子基體的結(jié)合提供了過渡層,有利于降低材料的介電損耗。
聲明:
“低介電常數(shù)高分子基復(fù)合材料的制備工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)