本發(fā)明涉及一種RTM工藝輔助制備碳化硅陶瓷基
復(fù)合材料構(gòu)件的方法,制備方法包括步驟:采用化學(xué)氣相沉積法,在SiC纖維預(yù)制體表面沉積C/SiC雙界面層,得到帶界面涂層的SiC纖維預(yù)制體;將帶界面涂層的SiC纖維預(yù)制體為增強體,以全氫聚碳
硅烷為先驅(qū)體,采用RTM工藝輔助PIP工藝對增強體進行浸漬固化,得到經(jīng)過界面改性的SiC/SiC復(fù)合材料;將經(jīng)過界面改性的SiC/SiC復(fù)合材料進行致密化,得到碳化硅陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件。本發(fā)明通過引進C/SiC界面層來避免陶瓷材料的脆性斷裂模式,同時采用新型先驅(qū)體全氫聚碳硅烷和RTM工藝來減小制品孔隙率和縮短制備周期。
聲明:
“RTM工藝輔助制備碳化硅陶瓷基復(fù)合材料構(gòu)件的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)