本發(fā)明公開一種Pd修飾的SnO2/rGO納米
復(fù)合材料及制備方法、傳感器及制備方法,納米復(fù)合材料制備環(huán)節(jié)需要首先合成微米級(jí)多層氧化
石墨烯,再通過(guò)一步水熱法合成一種Pd修飾的特殊形貌SnO2/rGO納米復(fù)合材料。本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有傳感器對(duì)氫氣選擇性低、響應(yīng)性差、響應(yīng)范圍窄等問題,提出了一種通過(guò)利用催化金屬Pd摻雜提高對(duì)氫氣特異性響應(yīng),通過(guò)多層還原氧化石墨烯作為基底提高材料比表面積與導(dǎo)電性的方法,合成了一種應(yīng)用于氫氣傳感器中的Pd修飾的特殊形貌SnO2/rGO納米復(fù)合材料。本發(fā)明方法具有材料制備簡(jiǎn)單、對(duì)氫氣響應(yīng)敏感性高以及檢測(cè)下限低的優(yōu)點(diǎn),在未來(lái)對(duì)高性能氫氣傳感器制備的需求中,具有廣闊前景。
聲明:
“Pd修飾的SnO2/rGO納米復(fù)合材料及制備方法、傳感器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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