f/SiC復(fù)合材料中殘余硅含量的方法,復(fù)合材料"> f/SiC復(fù)合材料中殘余硅含量的方法,本發(fā)明屬于陶瓷基復(fù)合材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種降低熔滲工藝制備SiCf/SiC復(fù)合材料中殘余硅含量的方法。該方法利用碳化硅纖維作為纖維增強(qiáng)體,與含Ti粉或TiC粉的料漿制備成預(yù)浸料后,通過熱壓成型、炭化、熔滲制備出碳化硅纖維增強(qiáng)碳化硅復(fù)合材料。由于Ti或TiC的引入,可以與基體內(nèi)的殘余硅發(fā)生反應(yīng)生成TiSi2。該方法不僅可以克服熔滲工藝制備陶瓷基復(fù)合材料基體內(nèi)殘余硅的缺點(diǎn),同時(shí)可以在確保復(fù)合材料原有力學(xué)性能不受影響的基礎(chǔ)上,提升其高溫穩(wěn)定性。">
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