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硫化銅/釩酸鉍雙層膜復合材料的制備及作為光電陽極的應用

735 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-18 15:33:02

本發(fā)明公開了一種硫化銅/釩酸鉍雙層膜復合材料的制備方法，是先用電化學沉積法制備出多孔BiVO4光電極，再用簡單的滴涂方式將CuS負載于BiVO4電極上，得到CuS/BiVO4雙層膜復合材料。由于CuS是一種窄帶隙p?型半導體，禁帶寬度幾乎接近半導體Si材料，具有較好的可見光吸收性能及導電性；BiVO4是一種具有高可見光響應性、電子結構可調的n?型半導體，二者復合形成雙層CuS/BiVO4薄膜，構成價帶和導帶相交錯的p?n異質結構，這種結構有助于光生載流子的快速分離，減小電子?空穴對復合，從而提高了BiVO4的光電化學性能，使其作為光電陽極材料在光催化分解水產氫反應中具有很好的應用前景。

聲明：

“硫化銅/釩酸鉍雙層膜復合材料的制備及作為光電陽極的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)