本發(fā)明公開了一種高介電高
儲(chǔ)能的二維片狀鈦酸鍶
復(fù)合材料及制備方法。介電復(fù)合材料制備中,高體積分?jǐn)?shù)無機(jī)物粒子的加入,會(huì)導(dǎo)致聚合物的機(jī)械性能和擊穿強(qiáng)度大幅度降低。所述的復(fù)合材料是由片狀鈦酸鍶和PVDF基聚合物組成的;鈦酸鍶納米片在復(fù)合材料中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1~30%,鈦酸鍶納米片的粉體片徑為0.1~10μm,厚度為10~100nm;所述的PVDF基聚合物包含聚偏氟乙烯PVDF和基于PVDF的P(VDF?CTFE)、P(VDF?HFP)、P(VDF?TrFE)、P(VDF?CTFE?TrFE)。本發(fā)明使用二維片狀鈦酸鍶作為無機(jī)添加粒子,可以有效降低添加物的含量,避免高含量無機(jī)粒子添加導(dǎo)致的機(jī)械性能和擊穿強(qiáng)度的下降。
聲明:
“高介電高儲(chǔ)能的二維片狀鈦酸鍶復(fù)合材料及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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