一種基于聚酰亞胺基體納米SiO2空心球
復(fù)合材料的制備方法,本發(fā)明涉及納米SiO2空心球復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明要解決現(xiàn)有技術(shù)存在制備的聚酰亞胺介電常數(shù)高,介電常數(shù)在2.6~3.9,難以滿足微電子行業(yè)對于基材要求的問題。方法:一、制備納米SiO2空心球粉末;二、制備納米SiO2空心球/聚酰胺酸膠液;三、成膜及熱亞胺化;四、脫膜,即得到基于聚酰亞胺基體納米SiO2空心球復(fù)合材料。本發(fā)明制備基于聚酰亞胺基體納米SiO2空心球復(fù)合材料的介電常數(shù)低至2.1,可廣泛適用于高速集成電路撓性覆銅箔板基材中。本發(fā)明用于一種基于聚酰亞胺基體納米SiO2空心球復(fù)合材料的制備。
聲明:
“基于聚酰亞胺基體納米SiO2空心球復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)