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在C/SiC復(fù)合材料表面制備薄膜熱電偶的方法

1057   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:26:02
本發(fā)明公開了一種在C/SiC復(fù)合材料表面制備薄膜熱電偶的方法,具有如下步驟:S1、C/SiC復(fù)合材料表面處理;S2、在C/SiC復(fù)合材料上制備導(dǎo)電層;S3、電鍍沉積Ni?ZrO2復(fù)合層;S4、機(jī)械打磨電鍍層;S5、拋光Ni?Cr?ZrO2復(fù)合過渡層;S6、制備有復(fù)合過渡層的C/SiC復(fù)合材料表面處理;S7、制備SiO2絕緣膜、薄膜熱電偶功能薄膜和SiO2保護(hù)膜。本發(fā)明制備的Ni?Cr?ZrO2復(fù)合過渡層與C/SiC復(fù)合材料有良好的結(jié)合力,同時可以為薄膜熱電偶提供連續(xù)平整的附著面,制備出的薄膜熱電偶能夠滿足C/SiC復(fù)合材料制造的航空發(fā)動機(jī)熱端部件瞬時表面溫度測試需求。
聲明:
“在C/SiC復(fù)合材料表面制備薄膜熱電偶的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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