本發(fā)明公開了屬于半導(dǎo)體復(fù)合材料制備領(lǐng)域的用于光電催化的ZnO/CdS/Ag2S核殼結(jié)構(gòu)納米復(fù)合材料的制備方法。首先通過溶膠凝膠法制備ZnO種子層溶膠；采用浸漬?提拉法在ITO導(dǎo)電玻璃基底上涂覆ZnO種子層，經(jīng)過熱處理后，將長有ZnO種子層的導(dǎo)電玻璃放置在ZnO生長溶液中經(jīng)過熱水浴處理，得到ZnO納米棒；采用離子交換法將CdS、Ag2S納米粒子沉積到ZnO納米層上，得到ZnO/CdS/Ag2S核殼結(jié)構(gòu)納米復(fù)合材料。本發(fā)明所獲得的ZnO/CdS/Ag2S核殼結(jié)構(gòu)納米復(fù)合材料垂直生長于基底，平均直徑達到120nm，表面附著CdS、Ag2S顆粒均勻，其吸光達到373nm，光電流達到1.52mA·cm2(1.2V?vs?Ag/AgCl)，光電性能顯著提高。本發(fā)明提供的方法的特點：1、設(shè)備要求低、工藝簡單易控。2、擴大光響應(yīng)范圍、提高光電效率。3、有效抑制光生電子空穴復(fù)合，促進電子空穴有效分離。