本發(fā)明涉及一種具有電磁阻抗?jié)u變基體的吸波陶瓷基
復(fù)合材料快速制備方法,首先采用CVI或PIP工藝制備多孔的碳基復(fù)合材料,然后采用RMI工藝得到C?SiC基復(fù)合材料,最后采用氮化工藝,將復(fù)合材料中的殘余Si轉(zhuǎn)化為Si
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4,由此得到基體物相組成由內(nèi)而外為C→SiC→Si
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4,與自由空間的電磁阻抗匹配性能逐漸改善;由外而內(nèi)為Si
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4→SiC→C,對(duì)電磁波的損耗能力逐漸增強(qiáng)的吸波型陶瓷基復(fù)合材料。本發(fā)明工藝可控性強(qiáng),而且與CVI和PIP法相比具有制備周期短、生產(chǎn)成本低。復(fù)合材料在電磁性能方面,基體材料由內(nèi)而外與自由空間的阻抗匹配性能逐漸改善,由外而內(nèi)對(duì)電磁波的損耗能力逐漸增強(qiáng),有利于提高復(fù)合材料的吸波性能。
聲明:
“具有電磁阻抗?jié)u變基體的吸波陶瓷基復(fù)合材料快速制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)