本發(fā)明涉及一種含有α?Al2O3涂層的C/SiC
復(fù)合材料坩堝,屬于單晶硅拉制爐用熱場部件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述復(fù)合材料坩堝包括C/SiC復(fù)合材料坩堝本體以及涂覆在坩堝本體內(nèi)表面的α?Al2O3涂層,且C/SiC復(fù)合材料坩堝本體中的陶瓷基體為β?SiC;α?Al2O3涂層與β?SiC陶瓷基體具有良好的適配性,結(jié)合強(qiáng)度高,在滿足坩堝力學(xué)性能要求的基礎(chǔ)上,一方面大大降低了Si蒸汽對坩堝的侵蝕,而且避免了對復(fù)合材料坩堝的機(jī)械損傷,提高了坩堝的使用壽命,一方面在單晶硅拉制過程中不會(huì)引入雜質(zhì)成分,保證了拉制單晶硅過程中熔融硅的純度,滿足單晶硅拉制的需求,相比于同時(shí)使用石英坩堝和炭/炭復(fù)合材料坩堝拉制單晶硅,采用本發(fā)明所述復(fù)合材料坩堝拉制單晶硅的成本降低。
聲明:
“含有α-Al2O3涂層的C/SiC復(fù)合材料坩堝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)