本發(fā)明提供一種無機(jī)/高分子
復(fù)合材料的制備方法,包括以下步驟,將聚合單體和無機(jī)半導(dǎo)體混合,密封,在紫外光源的照射下進(jìn)行本體聚合,所述聚合物單體與無機(jī)半導(dǎo)體的質(zhì)量之比為7:3~999:1。所述聚合單體為丙烯酰胺、N,N?二甲基丙烯酰胺、N,N?亞甲基雙丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、N?異丙基丙烯酰胺、丙烯酰嗎啉或1,3,5?三丙烯酰基六氫均三嗪中的一種或幾種;所述無機(jī)半導(dǎo)體為納米TiO
2、納米ZnO、納米Fe
3O
4、納米Fe
2O
3、納米CdS中的一種或幾種;所述紫外光源的光強(qiáng)為30~50mW/cm
2。本發(fā)明還提供由該制備方法制備得到的無機(jī)/高分子復(fù)合材料,本發(fā)明所制備的無機(jī)/高分子復(fù)合材料中的無機(jī)半導(dǎo)體粒子分布均勻。
聲明:
“無機(jī)/高分子復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)