本發(fā)明涉及一種NiS2/Ti3C2MXene超級電容器
復(fù)合材料及制備方法和應(yīng)用,屬于電容器復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過共沉淀結(jié)合原位硫化的方法成功合成了NiS2/Ti3C2MXene,所得的復(fù)合材料中NiS2納米顆粒均勻地分布在片層Ti3C2MXene的表面。本發(fā)明一方面,二維層狀結(jié)構(gòu)的Ti3C2MXene可以抑制NiS2納米顆粒的聚集和體積變化,提高復(fù)合材料的導(dǎo)電率;另一方面,NiS2納米顆粒同樣可以抑制Ti3C2MXene的“自堆疊”,兩者的協(xié)同效應(yīng)提高了復(fù)合材料的比容量和倍率性能。
聲明:
“NiS2/Ti3C2MXene超級電容器復(fù)合材料及制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)