本申請公開了納米晶
復(fù)合材料、其制備方法及其應(yīng)用。其中,納米晶復(fù)合材料包括半導(dǎo)體納米晶以及負(fù)載于半導(dǎo)體納米晶表面的配體,配體包括由螯合劑與金屬硅酸鹽形成的絡(luò)合物。本申請的納米晶復(fù)合材料具有優(yōu)異的抗高光強(qiáng)性能,也即在同樣的強(qiáng)光照射下,本申請的納米晶復(fù)合材料的熒光量子產(chǎn)率的下降程度小于現(xiàn)有技術(shù)的納米晶材料;此外,本申請的納米晶復(fù)合材料的制備成本較低,制備方法簡單。
聲明:
“納米晶復(fù)合材料、其制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)