本發(fā)明公開(kāi)了一種制備多孔硅?銅
復(fù)合材料的方法,具體為:將CuO、Mg2Si兩種粉體原料均勻混合,在600~700℃下進(jìn)行熱處理,再經(jīng)酸洗及后處理得到所述的多孔硅?銅復(fù)合材料。本發(fā)明的制備工藝簡(jiǎn)單,具有很大的操作性,所采用的原料來(lái)源豐富,價(jià)格便宜,所使用的方法途徑容易在工廠中進(jìn)行,特別是巧妙利用了鎂和氧化銅的置換反應(yīng),在制得多孔硅的同時(shí),生成納米級(jí)的銅顆粒均勻彌散于多孔硅的表面,更加充分的發(fā)揮了銅對(duì)整個(gè)材料體系導(dǎo)電性的提高作用和銅顆粒對(duì)硅在脫嵌鋰離子時(shí)的體積變化的緩沖作用。是一種潛在的可大規(guī)模合成結(jié)構(gòu)獨(dú)特的硅?銅復(fù)合材料的方法。
聲明:
“多孔硅-銅復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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