本發(fā)明提供了一種以水滑石為模板的金屬硫化物半導體納米
復合材料及其制備方法,屬于半導體復合材料技術領域。本發(fā)明以LDHs為模板,將金屬配合物陰離子經(jīng)離子交換取代NO3-或者Cl-進入水滑石層間,構(gòu)成金屬配合物陰離子占層間陰離子摩爾數(shù)總數(shù)40-100%的層狀粉體材料,再向粉體中通入足量H2S氣體,經(jīng)氣固相反應得到半導體納米粒子插層水滑石。優(yōu)點在于:把具有優(yōu)異光電性能及催化性能的II-VI族半導體納米粒子組裝進入水滑石層間,實現(xiàn)II-VI族半導體納米粒子在水滑石層間的高度分散;同時還可調(diào)變層板金屬及有機配體制備得到半導體納米粒子分散均勻、粒徑可調(diào)的有機—無機半導體納米復合材料。
聲明:
“以水滑石為模板的金屬硫化物半導體納米復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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