本發(fā)明公開了一種高
儲能性能陶瓷/聚合物介電
復(fù)合材料及其制備方法,該聚合物基復(fù)合材料以P(VDF?CTFE)為基體材料,低介電、低損耗與高絕緣SiO
2包覆的Pb(Zr
0.52Ti
0.48)O
3粉體為填充物。本發(fā)明利用準同型相界的Pb(Zr
0.52Ti
0.48)O
3鐵電陶瓷填充物來提高復(fù)合材料介電常數(shù),利用低介電常數(shù)SiO
2降低填充物與基體之間電場強度畸變來提高擊穿場強。復(fù)合材料的擊穿場強可以提高至450MV/m~491MV/m,該復(fù)合材料在最高491MV/m外加電場強度下,可以實現(xiàn)16.8J/cm
3的儲能密度和70%的儲能效率。同時本發(fā)明還公開了該復(fù)合材料的制備方法。通過本發(fā)明,可以獲得高儲能密度、高儲能效率和高擊穿場強的聚合物基復(fù)合材料,該復(fù)合材料優(yōu)異的介電儲能特性使其可應(yīng)用于高功率脈沖技術(shù)領(lǐng)域。
聲明:
“高儲能性能陶瓷/聚合物介電復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)