本發(fā)明屬于高
新材料制備領(lǐng)域,具體公開一種MoSi2/Mo復(fù)合粉體及Mo-Si-B
復(fù)合材料的制備方法。(1)根據(jù)所要求包裹層Mo的厚度,選定合適粒度的待處理粉體MoSi2,其原則為粉體MoSi2的粒度為包裹層Mo厚度的3~5倍,粒度和厚度單位均為微米;(2)真空處理粉體MoSi2:真空度為10-2~10-4Pa,處理溫度為1400~1600℃,處理時(shí)間由公式h=Kt1/2確定,其中h--包裹層Mo厚度,單位為微米,K--與材料性質(zhì)、處理溫度有關(guān)的常數(shù),t為處理時(shí)間,單位為小時(shí);(3)將處理過的粉體,通過
粉末冶金的方法制備Mo-Si-B復(fù)合材料。本發(fā)明方法可以實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料中第二相含量的控制,避免復(fù)合材料中第二相的偏析,可以實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料組織結(jié)構(gòu)的最優(yōu)化,從而來改善復(fù)合材料的綜合性能。
聲明:
“MoSi2/Mo復(fù)合粉體及Mo-Si-B復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)