本發(fā)明公開一種納米硅
復(fù)合材料、復(fù)合材料及其制備方法及應(yīng)用,涉及
電池材料技術(shù)領(lǐng)域。納米硅復(fù)合材料包括納米硅、形成于所述納米硅表面的g?C3N4包覆層,以及形成于所述g?C3N4包覆層表面的三苯基膦包覆層,所述g?C3N4包覆層設(shè)有貫通至所述納米硅表面的第一孔洞,所述三苯基膦包覆層設(shè)有貫通至所述g?C3N4包覆層表面的第二孔洞。本發(fā)明提供一種納米硅復(fù)合材料,該材料制備得到的電池負極極片在充放電循環(huán)過程中,能夠避免電解液不斷與硅接觸,硅與電解液不斷形成不均勻的SEI膜,造成負極界面不穩(wěn)定和活性物質(zhì)降低的問題。
聲明:
“納米硅復(fù)合材料、復(fù)合材料及其制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)