本發(fā)明是關(guān)于
半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,旨在提供InVO4/g-C3N4
復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明包括如下步驟:將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液;80℃下攪拌2h后獲得沉淀,過濾,并用蒸餾水和無水乙醇洗滌,干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽;獲得g-C3N4顆粒;將g-C3N4顆粒分散到無水乙醇中得到分散體系,將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液;攪拌獲得沉淀,過濾、洗滌,加入表面活性劑并進(jìn)行水熱反應(yīng);所得沉淀過濾,獲得InVO4/g-C3N4復(fù)合材料。本發(fā)明的有益效果是:解決了InVO4納米晶的形核、生長問題,促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長。
聲明:
“InVO4/g-C3N4復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)