本發(fā)明實(shí)施公開了一種微納網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)In2O3/SnO2
復(fù)合材料及其生長方法,以氧化銦或者氧化錫微顆粒為基體,并利用利用熱蒸鍍的方式在上述微顆粒上原位生長包含另一種材料(氧化錫或者氧化銦)的納米晶,同時(shí),通過控制生長環(huán)境和生長時(shí)間使上述納米晶形成一維或準(zhǔn)一維的結(jié)構(gòu)并且相互連通,進(jìn)而構(gòu)成氧化銦/氧化錫網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)復(fù)合材料。本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合材料由兩種材料復(fù)合而成,具有比單一金屬氧化物更多表面活性位點(diǎn)和結(jié)構(gòu),因此可敏感探測(cè)氣體種類和靈敏度更高;另外,該材料還具有高比表面積、網(wǎng)狀相連結(jié)構(gòu)不團(tuán)聚、材料有序活性位點(diǎn)多且氣敏性能優(yōu)異,具有很好的工業(yè)化前景。
聲明:
“微納網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)In2O3/SnO2復(fù)合材料及其生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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