本發(fā)明公開了一種制備三維超導微納器件的方法,涉及三維微納器件技術(shù),其包括步驟:(1)超導電極接觸塊及/或連線的生長;(2)將步驟(1)中加工好的樣品的放置與固定;(3)將固定于樣品托上的樣品放入離子束設備真空腔內(nèi)的樣品臺上;(4)在超導電極接觸塊或連線上自由站立的超導微納米的生長;(5)對(4B)中制備的微
納米材料的形變操縱;(6)得成品。本發(fā)明的制備方法,基于離子束輻照對自由站立的納米材料的形變操縱來制備不位于支撐襯底平面內(nèi)的超導微納結(jié)構(gòu),形成與支撐襯底平面成一定夾角的三維超導微納器件,工藝靈活、效率高、可控性好。
聲明:
“制備三維超導微納器件的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)