一種有機EL元件的制造方法,所述有機EL元件具有陽極、陰極、設置于陽極與陰極之間的至少一層的有機功能層和密封層,所述有機EL元件的制造方法包括:形成陽極的工序、形成陰極的工序、形成至少一層的有機功能層的工序和形成密封層的工序,從形成至少一層的有機功能層的工序的開始時起至形成密封層的工序的結(jié)束時為止,制造中的有機EL元件所被暴露的硫氧化物的平均濃度:A(ppm)和暴露時間:B(秒)滿足式(1?1),0≤A×B<2.2…(1?1)。
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