本發(fā)明公開了一種接觸孔的制作方法,包括如下步驟:S01:提供襯底,在所述襯底上形成下層導電電極;S02:在所述下層導電電極上沉積第一薄膜層,并在所述第一薄膜層上刻蝕出貫穿所述第一薄膜層的接觸大孔;S03:在所述第一薄膜層上沉積第二薄膜層并刻蝕,使得所述第二薄膜層在所述接觸大孔的側(cè)壁上形成緩變臺階;且所述緩變臺階的頂部開口面積大于底部開口面積;S04:沉積功能層,并在接觸大孔底部形成貫穿所述功能層的接觸小孔;S05:沉積上層導電電極,所述上層導電電極通過所述接觸小孔連接所述下層導電電極。本發(fā)明提供的一種接觸孔及其制作方法,確保接觸孔中上層導電電極不發(fā)生斷裂,以提升器件良率和可靠性。
聲明:
“接觸孔及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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