本發(fā)明提供一種三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其制備方法，制備方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；于半導(dǎo)體襯底上形成疊層結(jié)構(gòu)，于疊層結(jié)構(gòu)中形成溝道孔及柵極隔槽，于半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源極區(qū)域；于柵極隔槽的內(nèi)壁上形成外層及內(nèi)芯。本發(fā)明將所述柵極隔槽填充為至少包括外層和內(nèi)芯的結(jié)構(gòu)，可以通過內(nèi)芯的填充實(shí)現(xiàn)器件整體應(yīng)力、電阻、漏電等情況的改善，在柵極隔槽中制備柵極隔槽腔，緩解器件結(jié)構(gòu)的應(yīng)力，可以減小器件電阻；將三維存儲(chǔ)器的柵極隔槽制備成包括至少兩個(gè)子?xùn)艠O隔槽上下連通設(shè)置的結(jié)構(gòu)，單個(gè)子?xùn)艠O隔槽的制備易于控制，可以減小其關(guān)鍵尺寸，增加溝道孔與柵極隔槽之間的距離，可以增加后續(xù)柵極層的長(zhǎng)度，減小柵極層的電阻，提高器件速度，優(yōu)化器件性能。