本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光電探測器像素電路,包括探測晶體管,配置為對(duì)入射光進(jìn)行探測并產(chǎn)生相應(yīng)的光生電信號(hào);開關(guān)晶體管,配置為接收所述光生電信號(hào)或相關(guān)信號(hào)并對(duì)其進(jìn)行電學(xué)處理;所述探測晶體管和所述開關(guān)晶體管均為雙柵晶體管,并且二者的襯底、底柵電極層、底柵介質(zhì)層、頂柵介質(zhì)層以及源極或漏極所在的導(dǎo)電層彼此都相應(yīng)的位于同一層,并且二者的有源層都包括具有光記憶功能的相同或不同的
半導(dǎo)體材料;其中所述探測晶體管的頂柵電極采用透明導(dǎo)電材料,所述開關(guān)晶體管的頂柵電極至少包括非透明導(dǎo)電材料。本申請(qǐng)還公開了相應(yīng)的光電探測器及其制造和應(yīng)用方法。
聲明:
“光電探測器及其制造方法及相應(yīng)的光電探測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)