本發(fā)明涉及一種制備氮化硅(阿耳法-氮化硅)晶須的方法,采用適當(dāng)粒度的氧化硅粉末為原材料,在一定壓力的氮?dú)夥障?在石墨容器內(nèi)經(jīng)1200℃~1600℃之間直接反應(yīng)生成晶體結(jié)構(gòu)完整的,表面質(zhì)量?jī)?yōu)良的單晶阿耳法-氮化硅晶須。所得制品可應(yīng)用于各種
復(fù)合材料的增強(qiáng)、增韌,以及特殊用途的
功能材料。
聲明:
“制備α-Si3N4晶須的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)