一種磁性納米線陣列薄膜及其制備方法,屬于電子
功能材料技術(shù)領(lǐng)域。包括MgAl2O4單晶基片、Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基體和NiFe2O4納米線;NiFe2O4納米線均勻分布在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基體中,形成沉積于MgAl2O4單晶基片(001)取向表面的磁性納米線陣列薄膜。該薄膜采用PZT-NFO靶材和(001)取向MgAl2O4單晶基片,采用90度離軸磁控濺射工藝制得,具有鐵磁共振線寬小、鐵磁共振頻率高、晶格失配小,可自組裝外延生長(zhǎng)的特點(diǎn),是一種用于微波非互易性器件的重要材料。其制備方法容易實(shí)現(xiàn),參數(shù)控制方便,操作簡(jiǎn)單,成本低。
聲明:
“磁性納米線陣列薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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