本發(fā)明屬于電磁
功能材料技術(shù)領(lǐng)域。采用粉體吸收劑,并通過(guò)對(duì)吸收劑表面包覆,實(shí)現(xiàn)高的微波磁導(dǎo)率,賦予在P波段高的行波衰減,同時(shí)提高其在基體材料中的填充比。本發(fā)明涉及的P波段行波抑制片材,為含有片狀吸收劑的硫化膠片,厚度3.5~10mm,物料質(zhì)量組成至少包括:片狀吸收劑粉體60~110份基體膠料20份。本發(fā)明涉及的P波段行波抑制片材,飽和磁化強(qiáng)度較高,耐候性好,絕緣性能良好,在微波段具有較高的磁導(dǎo)率。在雷達(dá)波P波段具有高的磁導(dǎo)率和磁損耗,3~10mm厚的材料在300MHz~1000MHz頻段范圍內(nèi)行波損耗效果平均值大于?10dB。適用于電磁抗干擾領(lǐng)域,特別適用于相控陣列雷達(dá)。
聲明:
“P波段行波抑制片材” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)