本發(fā)明公開了一種低觸發(fā)、低容值片式靜電抑制器的制備方法,包括以下操作步驟:采取
納米材料制備技術(shù)、
半導(dǎo)體材料、高分子材料和PCB板技術(shù)相結(jié)合,在電極切槽部位印刷具有疏松骨架結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體特性的
功能材料層,切槽部位電極存在尖端和功能漿料為疏松的骨架結(jié)構(gòu)形成的縫隙,實現(xiàn)低電壓特性,通過激光精度切割制備的電極縫隙。本發(fā)明所述的一種低觸發(fā)、低容值片式靜電抑制器的制備方法,通過激光精度切割制備的電極縫隙,相對于厚膜印刷工藝制備的電極,縫隙寬度一致性好,采用雙縫隙電極設(shè)計,實現(xiàn)低容值,解決了超小容值的問題,采用3層壓合板設(shè)計,實現(xiàn)了內(nèi)部結(jié)構(gòu)較高的致密度,具有較高的防滲透和耐濕氣的性能。
聲明:
“低觸發(fā)、低容值片式靜電抑制器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)