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MEMS諧振結構的加工方法

714 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-18 15:04:02

本發(fā)明公開一種MEMS諧振結構的加工方法，提供硅晶圓作為襯底硅，在襯底硅的表面生長第一掩膜層；在第一掩膜層上加工開口圖樣；通過干法刻蝕去除與開口圖樣對應部分的第一掩膜層以及襯底硅，在襯底硅上形成凹槽結構；生長第二掩膜層，在所述凹槽結構的凹槽側壁以及凹槽底部形成第二掩膜層，在所述襯底硅表面形成復合掩膜層；通過干法刻蝕去除所述第二掩膜層，使所述凹槽底部的所述第二掩膜層全部去除；通過干法刻蝕再次對所述襯底硅進行刻蝕，使所述凹槽結構加深，并使得新刻蝕的凹槽側壁上沒有掩膜層覆蓋；通過濕法刻蝕在所述襯底硅內部連通開口圖樣形成空腔；淀積下電極、壓電功能材料以及上電極；圖形化并通過干法刻蝕釋放諧振結構。

聲明：

“MEMS諧振結構的加工方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)